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英飛淩igbt動態特性

日期:2020-11-29 23:40
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摘要:
英飛淩IGBt動態特性
  動態特性又稱開關特性,igbt的開關特性分為兩大部分:一是開關速度,主要指標是開關過程中各部分時間;另一個是開關過程中的損耗。
  英飛淩igbt的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關係。英飛淩igbt處於導通態時,由於它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時,通態電壓Uds(on) 可用下式表示::
  Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
  式中Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
  通態電流Ids 可用下式表示:
  Ids=(1+Bpnp)Imos
  式中Imos ——流過MOSFET 的電流。
  由於N+ 區存在電導調製效應,所以IGBT 的通態壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處於斷態時,隻有很小的泄漏電流存在。

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