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igbt模塊靜態特性

日期:2020-11-28 21:29
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摘要:
igbt模塊靜態特性
  igbt 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。
  IGBT(igbt模塊) 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關係曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控製,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩衝區,則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩衝區後,反向關斷電壓隻能達到幾十伏水平,因此限製了IGBT 的某些應用範圍。
  IGBT(igbt模塊) 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關係曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同,當柵源電壓小於開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處於關斷狀態。在IGBT 導通後的大部分漏極電流範圍內, Id 與Ugs呈線性關係。*高柵源電壓受*大漏極電流限製,其*佳值一般取為15V左右。

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